【硬件资讯】Intel称……Intel称……Intel称……Intel制造你到底行不行！！
新 闻1： 英特尔称 18A 工艺今年下半年将具备大规模量产能力，直接迎战台积电
据路透社报道，当地时间周二，英特尔称已有数家代工客户计划为公司 正在开发的新一代制造工艺 制作测试芯片。
英特尔在当日举行的 Direct Connect 会议上透露，公司在晶圆代工业务方面收获了不少客户关注。尽管推进代工业务的过程中屡遇挑战，英特尔仍希望能 最终对标台积电 。
在圣何塞的活动上，新任 CEO 陈立武提到，过去五周业内人士频频询问他是否会坚定投入晶圆代工业务。他表示：“ 答案是肯定的 。我下定决心要让英特尔的 代工业务取得成功 ，也很清楚目前仍有许多需要改进的地方。”
英特尔打算通过一项名为 14A 的新工艺引入高数值孔径 EUV 光刻设备（high-NA EUV），这一技术还能提升芯片电源输送效率。
high-NA EUV 光刻设备 有望简化芯片制造流程 ，但同时也伴随一定风险。英特尔晶圆代工技术主管纳加・钱德拉谢卡兰指出，公司仍将保留传统工艺的选项，客户不需要更改已有设计。
报道称，在 2010 年代，英特尔曾因未及时采用 EUV 技术而错失良机，而台积电则在该技术上持续投入。如今重新拥抱 high-NA EUV，某种程度上也是对当年战略失误的纠正。
钱德拉谢卡兰表示，公司的 18A 工艺仍处于不断试验与打磨阶段，“和其他新技术一样存在起伏”，但团队的进展持续稳步推进。预计英特尔将在 2025 年下半年具备以 18A 工艺进行大规模量产的能力 ，并开始向客户供货。
英特尔表示，18A 工艺初期将由位于俄勒冈州希尔斯伯勒的研发中心负责投片，亚利桑那州的工厂也将在年内扩大产能。
另据英特尔披露的数据，在 2021 年提出“四年五个工艺节点”计划至 2024 年这四年间，英特尔在全球的资本支出 达到了 900 亿美元 （IT之家注：现汇率约合 6546.83 亿元人民币），其中 约 180 亿美元投向了技术研发，370 亿美元投向了晶圆厂设备支出 。
原文链接：https://m.ithome.com/html/850005.htm
从我有印象开始，Intel这个18A工艺大概喊了两年了，一直作为重要工艺节点，作为Intel制造反超台积电的重要里程碑被渲染，结果呢？距离量产最近的消息，居然是年初被曝出未通过博通验证，遭到退单……如今，Intel又开始大力宣传自己家18A工艺即将量产，是真的有重大突破马上要实现量产了？还是Intel在给自己挽尊呢？
新 闻 2： 英特尔新先进制程将至：18A-PT 工艺官宣，14A 节点即将推出
英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。
陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效） 的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。
英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片 ，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为 PowerDirect。
如果一切按计划进行，14A 将成为行业首个采用 High-NA EUV 光刻技术的节点。台积电的 A14 竞争对手节点预计将在 2028 年到来，但预计不会在生产中使用 High-NA 技术。
陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段， 预计今年晚些时候将开始量产 。
英特尔还透露其新的 18A-P（IT之家注：18A 节点的性能版本）现在正在晶圆厂中运行，早期晶圆也已投产。
此外，英特尔官宣正在开发新的 18A-PT 版本 ，该版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合键合互连，使英特尔能够在其最先进的领先节点上 垂直堆叠晶圆 。
Foveros Direct 3D 技术是一个关键的发展，因为它提供了一种竞争对手台积电已在生产中使用的功能， 最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 产品 。事实上，英特尔在关键互连密度测量方面的实现与台积电的产品相匹配。
在成熟的节点方面，英特尔晶圆厂现在有了 首个 16nm 量产晶圆 ，该公司现在也在与联电合作开发 12nm 节点。
根据英特尔的官方路线图， 18A-P 将在 2026 年推出，18A-PT 要等到 2028 年 。此外，14A 将在 2027 年到来，还会有 14A-E 工艺。
针对先进封装需求，英特尔代工提供系统级集成服务，使用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程节点，通过 Foveros Direct（3D 堆叠）和 EMIB（2.5D 桥接）技术实现连接。
英特尔还将向客户提供新的先进封装技术，包括面向未来高带宽内存需求的 EMIB-T；在 Foveros 3D 先进封装技术方面，Foveros-R 和 Foveros-B 也将为客户提供更多高效灵活的选择。
制造方面， 英特尔亚利桑那州的 Fab 52 晶圆厂成功“全流程运行” ，标志着通过该设施加工了第一块晶圆。英特尔 18A 的大规模生产将在俄勒冈州的英特尔工厂开始，而亚利桑那州的制造将在今年晚些时候扩大。
原文链接：https://m.ithome.com/html/849949.htm
在Intel 18A工艺都仍处于“量产预告”阶段时，Intel新任CEO居然已经在预告自家18A节点的改进工艺——18A-P和18A-PT了，这真的很难让人信服啊……而且看Intel自己对两个改进节点的介绍，他们登场的时间将是2026和2028，持续这么久的改进节点，那预告中的14A要什么时候问世呢……
新 闻3： 英特尔谈 Intel 14A 可能使用 High NA EUV：两种光刻技术设计规则兼容
英特尔并未在 2025 Intel Foundry Direct Connect（英特尔代工大会）上明确其 Intel 14A 先进节点是否会引入 High NA EUV 光刻技术，不过代工部门高管纳加・钱德拉塞卡兰还是就相关议题发表了看法。
他表示，英特尔仍有在 14A 制程的 EUV 光刻步骤中仅使用传统 Low NA 或部分导入 High NA 的选项。而这两种方案在设计规则上是兼容的，这意味着 无论英特尔选择哪条技术路径，都不会对客户造成影响 。
英特尔已在其俄勒冈州研发晶圆厂安装了第二套 ASML 提供的 High NA EUV 光刻系统，表现符合预期。英特尔的 High NA EUV 图案化技术开发正稳步向量产迈进，同时已掌握了 High NA EUV 在 18A、14A 级节点的数据。
原文链接：https://m.ithome.com/html/850000.htm
那显然Intel要在14A上整花活了，对于14A工艺节点使用哪种光刻技术，Intel提出仅使用Low NA 或部分导入 High NA的思路，并表示二者在设计逻辑上兼容。兼容与否我们无法确定，但此前确实没有先例，按照Intel的这个说法，目前14A应该连制造思路都未确定。Intel算是最早购入High NA光刻机的厂商，但却也是应用最慢的……不知道能否慢工出细活了。
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